● 产品概述
VGF坩埚是应用于VGF技术中的一类坩埚,垂直梯度凝固法(VGF)技术是目前流行的技术,是微光电子和半导体产业生长GaAs单晶和InP单晶的良好选择。
● 主要特点:
1.可制作大规格坩埚(最大直径为8inch,最大高度为18inch);
2.纯度保证(>99.99%);
3.使用次数多(具有优异的层间结构);
4.成晶率高(通过对各向异性的调整,保证高的成晶率)。
● 主要参数
性能 | 单位 | 数值 | |
密度 | g/cm3 | 2.0-2.19 | |
体积电阻系数 | Ω·cm | 3.11×1011 | |
抗张强度 (力|| “C”) | N/mm2 | 153.86 | |
抗弯强度 | (力|| “C”) | N/mm2 | 243.63 |
(力⊥“C”) | N/mm2 | 197.76 | |
显微硬度 | - | N/mm2 | 691.88 |
热传导率 | - | - | “a”方向 “c”方向 |
(200℃) | W/m·k | 60 2.60 | |
(900℃) | W/m·k | 43.70 2.80 | |
介电强度(室温) | KV/mm | 56 |
● 产品应用:
用于VGF法合成半导体单晶及Ⅲ-Ⅴ族化合物。
● 联系方式:
0534-2129266
* 国晶官网链接:www.guojingxincai.com